LPDDR5有着高容量、高速率、低功耗等特点,广泛应用于智能手机、智能平板、台式电脑、笔记本电脑、服务器、机顶盒等终端设备。在LPDDR5的OS测试方案方面,国内尚属空白,主要原因是设备通道电压低,动静态电流测试、基本功能测试和芯片四周电流测试开发难度高。此项目是针对中高端移动设备用的LPDDR5存储芯片,进行OS测试(Open/Short,即开/短路),以便快速发现、筛选并改善封装相关失效。
2.项目主要指标
PoPt封装形式的LPDDR5芯片的OS测试技术指标如下:
(1)Open/Short test开短路测试
a) Load Board设计时,将芯片VSS/GND管脚接地
b) 测试时,测试机将所有通道切换成PMU模式
c) 将所有IO和电源管脚接地
d) IO测试:逐个将被测IO从地断开,施加正电流,测量IO上的电压,以测试IO对电源二极管通断(规格0.1V ~1.5V);施加负电流,测量IO上的电压,测试IO对地的二极管通断(规格-1.5V ~-0.1V)
(2)Leakage current test漏电流测试
a) 将电源管脚切换至电源通道,输入管脚接地,输出管脚开路
b) 为各路电源施加适当的电压值(规格VDD1=1.8V, VDD2H=1.05V,VDD2L=0.9V,VDDQ=0.5V)
c) 输入管脚:逐个在输入管脚上施加高电平,并测量漏电流得到IIH ; 逐个在输入管脚上施加低电平,并测量漏电流得到IIL(规格CS 管脚-16UA ~ +16UA,其他管脚-8UA ~ +8UA)
d) 输出管脚:对被测器件进行配置并使输出管脚进入高阻态;逐个在输出管脚上施加高电平,并测量漏电流得到IOZH;逐个在输出管脚上施加低电平,并测量漏电流得到IOZL(规格-8UA ~ +8UA)
(3)IDD2N2/2P2 test动静态电流测试
a) 将被测器件电源管脚连接至电源通道,IO管脚连接至数字通道
b) 电源管脚施加适当的电压(规格VDD1=1.8V,VDD2H=1.05V, VDD2L=0.9V,VDDQ=0.5V)
c) IDD2N 测试(规格 0-45mA):
① CKE 高,数字收发器向被测器件发送PreCharge All 指令
②等待 500ms,测量 VDD,得IDD2N
d) IDD2P 测试(规格 0-3.5mA):
①CKE 低,数字收发器向被测器件发送 PreCharge All 指令
②等待 500ms, 测量VDD,得IDD2P
(4)Gross Func test基本功能测试
a) 将被测器件电源管脚连接至电源通道,IO管脚连接至数字收发器通道
b) 电源管脚施加适当的电压(规格VDD1=1.8V,VDD2H=1.05V, VDD2L=0.9V,VDDQ=0.5V)
c) 按照需求,按指定流程,向指定地址范围的储存单元写入指定的数据,并回读比对(流程规格要求tCK=6ns,RL=5个时钟周期,WL=3个时钟周期,BL=16个时钟周期,tRCD=18ns/3个时钟周期,tRP=18ns/3个时钟周期,tWR=42ns/7个时钟周期,Retention=32MS,并且数据写“0”读“0”,写“1”读“1”)。
(5)SealRing test芯片四周电流测试(规格5uA~20uA)
a) 将被测器件电源管脚连接至电源通道,IO管脚连接至数字收发器通道
b) 电源管脚施加适当的电压(规格VDD1=1.8V,VDD2H=1.05V, VDD2L=0.9V,VDDQ=0.5V)
c) 向被测器件发送 MRW sequence,将对应DQ管脚切换至PMU 通道,施加电压并测量其电流,以判断Crack 结果